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更新時(shí)間:2026-09-14
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翻開(kāi)光器件的產(chǎn)品目錄,光是「激光二極管」這一欄就能排出十幾種:FP、DFB、VCSEL、DBR、ECL、EML、QCL、ICL、SLD、SOA……一串字母組合,看著像密碼。
它們本質(zhì)上都是同一類東西:一塊半導(dǎo)體芯片,通電就出激光。既然原理相同,何必分這么細(xì)?
答案藏在一個(gè)很實(shí)在的地方——半導(dǎo)體激光器只做三件事:產(chǎn)生增益(PN 結(jié)注入,電子與空穴復(fù)合發(fā)光)、提供反饋(諧振腔讓光來(lái)回跑)、把光放出來(lái)。第一件各家都一樣,分家就分在后兩件上:腔怎么搭,光從哪出。每解決一個(gè)具體的工程麻煩,就多出一個(gè)縮寫(xiě)。
FP 是法布里-珀羅的縮寫(xiě),顧名思義,腔就是兩面平行的鏡子。在半導(dǎo)體里,這兩面鏡子甚至不用額外做——晶體沿特定方向解理,斷面天然平整如鏡,直接拿來(lái)當(dāng)反射面就行。工藝簡(jiǎn)單,成本低。
代價(jià)是它多縱模。凡是滿足駐波條件的波長(zhǎng)都能在腔里振蕩,于是輸出光譜是一排梳齒,整體寬度常常有幾個(gè)納米。
圖1:有沒(méi)有光柵,決定輸出是幾個(gè)模式
幾個(gè)納米聽(tīng)起來(lái)不多,可一旦進(jìn)了光纖就麻煩了。光纖有色散,不同波長(zhǎng)跑得不一樣快,模式越多、譜越寬,脈沖被拉得越糊——幾十公里之后,信號(hào)就分不清彼此了。
所以 FP 的用場(chǎng)很清楚:距離短、速率不高、對(duì)譜寬不敏感的場(chǎng)合。指示、泵浦、短距傳輸,它都勝任,而且便宜。
二、要單模:把光柵做進(jìn)芯片里
通信要的是單縱模,于是有了 DFB 與 DBR。
DFB(分布式反饋)的做法是:在有源區(qū)里刻上周期性的光柵。只有滿足布拉格條件的那個(gè)波長(zhǎng)能被反復(fù)加強(qiáng),其余的都被抑制掉。輸出就成了干凈的一根譜線,寬度常常能壓到幾兆赫茲以下。
DBR(分布式布拉格反射)思路相近,但把光柵挪到了腔兩端的無(wú)源區(qū),中間留出完整的增益區(qū)。區(qū)別聽(tīng)著不大,效果卻有分工:DFB 的單模更穩(wěn),DBR 的調(diào)諧范圍更大。
打個(gè)比方:FP 像一間空屋子,什么音調(diào)都能引起共鳴;DFB 給屋子裝上了格柵,只留下一個(gè)音能站住。
代價(jià)當(dāng)然有。做光柵要用光柵刻蝕、二次外延這些額外工藝,一片 DFB 的價(jià)格通常是 FP 的幾倍。這筆錢(qián)花得值不值,取決于那段光纖有多長(zhǎng)。
三、換個(gè)方向出光:VCSEL
前面幾種都是邊發(fā)射:光從芯片的側(cè)面出來(lái)。因?yàn)槌龉饪谑且粭l窄縫,光斑是細(xì)長(zhǎng)的橢圓,想耦合進(jìn)圓形的纖芯,得先用透鏡整形。
VCSEL 換了個(gè)思路——讓光從芯片頂面垂直射出。腔不再是橫向的,而是上下兩片反射鏡夾著薄薄的有源區(qū)。
圖2:光從側(cè)面出,還是從頂面出
好處立刻顯現(xiàn):光斑是圓的,直接耦合,省掉整形;有源區(qū)極薄,閾值很低,毫安級(jí)就能起振;更重要的是,它能在晶圓上直接測(cè)試——不用切成一個(gè)個(gè)再挑,成本優(yōu)勢(shì)非常明顯。此外還容易做成二維陣列,用數(shù)量把功率堆上去。
短板是單管功率不大。常見(jiàn)的 850 納米、940 納米就在它的舒適區(qū)里,短距通信、傳感、消費(fèi)電子都是它的地盤(pán)。
所以 VCSEL 與邊發(fā)射不是替代關(guān)系,而是分工:要圓光斑、要陣列、要便宜,找 VCSEL;要大功率、要窄線寬、要長(zhǎng)距離,還得靠邊發(fā)射那幾位。
四、中紅外那一支:QCL 與 ICL
普通半導(dǎo)體激光器的波長(zhǎng)由材料的帶隙決定。想發(fā)中遠(yuǎn)紅外(3 到 12 微米),帶隙得小到幾乎沒(méi)有,常規(guī)材料體系做不到。
QCL(量子級(jí)聯(lián)激光器)繞開(kāi)了這個(gè)限制。它不靠帶隙,而是靠量子阱里的子帶間躍遷:電子從高能級(jí)落到低能級(jí),發(fā)一個(gè)光子,然后隧穿進(jìn)入下一個(gè)完-全相同的周期,再發(fā)一個(gè)。一個(gè)電子穿過(guò)幾十個(gè)周期,就能串出幾十個(gè)光子。
圖3:一個(gè)電子,一路發(fā)一串光子
關(guān)鍵在于,躍遷能量由量子阱的寬度決定,而寬度是可以設(shè)計(jì)的。想要什么波長(zhǎng),改阱寬就行,不必等材料。這就把中紅外這塊硬骨頭啃了下來(lái)。
3 到 12 微米這個(gè)區(qū)間,恰好是多數(shù)分子的指紋區(qū)——甲烷、二氧化碳、一氧化氮的吸收線都在這附近。所以氣體檢測(cè)的臺(tái)子,多半要配一支 QCL。
ICL(帶間級(jí)聯(lián)激光器)填補(bǔ)的是 QCL 與近紅外之間的空隙,工作方式介于傳統(tǒng)激光器與 QCL 之間,功耗比 QCL 低不少,適合對(duì)散熱和電池有要求的場(chǎng)合。
五、掐掉反饋:SLD 與 SOA
還有兩位比較特殊——它們的共同點(diǎn)是把反饋掐掉。
做法很直接:把端面斜切,或者鍍上增透膜,讓光走到頭就出去了,不反射回來(lái)。腔于是形同虛設(shè),只剩放大。
圖4:掐掉反饋,激光器就換了身份
只放大不振蕩的結(jié)果,就是 SLD(超輻射發(fā)光二極管):亮度接近激光,譜寬卻寬達(dá)幾十納米。
寬譜在很多場(chǎng)合是缺點(diǎn),但在光學(xué)相干層析這類地方,恰恰是要追求的目標(biāo)。道理來(lái)自相干長(zhǎng)度——L_c ≈ λ2 / Δλ,譜越寬,相干長(zhǎng)度越短,干涉信號(hào)只在極短的光程差附近出現(xiàn),縱向分辨反而越高。譜寬幾十納米,相干長(zhǎng)度就壓到幾十微米量級(jí),正好拿來(lái)做層析的「刻度」。
同一枚芯片,不做光源而去做放大器,就成了 SOA(半導(dǎo)體光放大器):不自己發(fā)光,專門(mén)放大別人過(guò)來(lái)的光,當(dāng)放大器、當(dāng)光開(kāi)關(guān)都合適。
六、要調(diào)得快:EML 與 ECL
把信號(hào)加載到光上,最省事的辦法是直接調(diào)激光器的電流。但電流一變,有源區(qū)的載流子濃度就變,折射率跟著變,波長(zhǎng)也跟著抖——這個(gè)現(xiàn)象叫啁啾。
速率低的時(shí)候還能湊合;到了 25 G、50 G 以上,啁啾遇上光纖色散,脈沖還沒(méi)跑遠(yuǎn)就散了架。
圖5:直接調(diào)制與外調(diào)制的差別
EML(電吸收調(diào)制激光器)的解法是分工:前面的 DFB 恒流工作、波長(zhǎng)穩(wěn)如磐石,后面接一段電吸收調(diào)制器,靠電壓改變吸收強(qiáng)弱來(lái)開(kāi)關(guān)光。調(diào)制只改變光的「有無(wú)」,不碰光源本身,啁啾因此小得多。它就是 DFB 加 EAM 長(zhǎng)在同一塊芯片上,用集成度換性能。
代價(jià)是多了驅(qū)動(dòng)電壓和溫度控制,電路比直接調(diào)制復(fù)雜一截。
另一條路是 ECL(外腔激光器):干脆把鏡子放到芯片外面。腔一長(zhǎng),可振蕩的模式就密集,選模之后線寬能窄到千赫茲量級(jí);再轉(zhuǎn)動(dòng)外腔里的光柵,還能連續(xù)調(diào)波長(zhǎng)。相干通信、高分辨光譜,用的都是它。
七、選型時(shí)究竟看什么
把上面這些串起來(lái)會(huì)發(fā)現(xiàn),那些縮寫(xiě)并不是隨意堆砌的,而是各自對(duì)應(yīng)一組指標(biāo)。
圖6:一張表看懂各自的地盤(pán)
真到選型的時(shí)候,問(wèn)的無(wú)非是這么幾個(gè)問(wèn)題:
波長(zhǎng)多少——先定材料體系,這一條往往就把范圍砍掉大半;
要單模還是無(wú)所謂——涉及傳輸距離與色散,決定 FP 還是 DFB;
功率多大——單管夠不夠,要不要上陣列;
要不要調(diào)制、多快——低速率直接調(diào),高速率上 EML;
譜寬是越窄越好,還是故意要寬——通信求窄,層析求寬,目標(biāo)正好相反。
剩下的問(wèn)題——封裝形式、尾纖類型、溫控要不要、驅(qū)動(dòng)怎么配——多半是這五條的延伸。
八、總結(jié)
半導(dǎo)體激光器分出這么多型號(hào),不是廠商愛(ài)起名字,是因?yàn)?/span>沒(méi)有一個(gè)結(jié)構(gòu)能同時(shí)在所有指標(biāo)上都拿滿分。
差別出在兩處——腔怎么搭(FP 裸腔多模、DFB/DBR 刻光柵選單模、ECL 把鏡子挪到片外求窄線寬)與光從哪出(邊發(fā)射功率大、VCSEL 圓光斑好耦合);
中紅外帶隙做不了,于是有了靠阱寬設(shè)計(jì)的 QCL;
而 SLD 與 SOA 則是把反饋掐掉后的另一種用法。
要單色性就得做光柵、得多花錢(qián);要圓光斑就接受功率有限;要中紅外就得忍受量子級(jí)聯(lián)那套復(fù)雜的外延。所謂選型,說(shuō)到底就是先想清楚哪一條最不能讓步,然后接受其他方面的妥協(xié)。
下次再看到那串字母,不妨先問(wèn)一句:它到底是為了解決哪一個(gè)麻煩才被發(fā)明出來(lái)的。想通了這一層,目錄就沒(méi)那么難讀了。
翻開(kāi)光器件的產(chǎn)品目錄,光是「激光二極管」這一欄就能排出十幾種:FP、DFB、VCSEL、DBR、ECL、EML、QCL、ICL、SLD、SOA……一串字母組合,看著像密碼。
它們本質(zhì)上都是同一類東西:一塊半導(dǎo)體芯片,通電就出激光。既然原理相同,何必分這么細(xì)?
答案藏在一個(gè)很實(shí)在的地方——半導(dǎo)體激光器只做三件事:產(chǎn)生增益(PN 結(jié)注入,電子與空穴復(fù)合發(fā)光)、提供反饋(諧振腔讓光來(lái)回跑)、把光放出來(lái)。第一件各家都一樣,分家就分在后兩件上:腔怎么搭,光從哪出。每解決一個(gè)具體的工程麻煩,就多出一個(gè)縮寫(xiě)。
FP 是法布里-珀羅的縮寫(xiě),顧名思義,腔就是兩面平行的鏡子。在半導(dǎo)體里,這兩面鏡子甚至不用額外做——晶體沿特定方向解理,斷面天然平整如鏡,直接拿來(lái)當(dāng)反射面就行。工藝簡(jiǎn)單,成本低。
代價(jià)是它多縱模。凡是滿足駐波條件的波長(zhǎng)都能在腔里振蕩,于是輸出光譜是一排梳齒,整體寬度常常有幾個(gè)納米。
圖1:有沒(méi)有光柵,決定輸出是幾個(gè)模式
幾個(gè)納米聽(tīng)起來(lái)不多,可一旦進(jìn)了光纖就麻煩了。光纖有色散,不同波長(zhǎng)跑得不一樣快,模式越多、譜越寬,脈沖被拉得越糊——幾十公里之后,信號(hào)就分不清彼此了。
所以 FP 的用場(chǎng)很清楚:距離短、速率不高、對(duì)譜寬不敏感的場(chǎng)合。指示、泵浦、短距傳輸,它都勝任,而且便宜。
二、要單模:把光柵做進(jìn)芯片里
通信要的是單縱模,于是有了 DFB 與 DBR。
DFB(分布式反饋)的做法是:在有源區(qū)里刻上周期性的光柵。只有滿足布拉格條件的那個(gè)波長(zhǎng)能被反復(fù)加強(qiáng),其余的都被抑制掉。輸出就成了干凈的一根譜線,寬度常常能壓到幾兆赫茲以下。
DBR(分布式布拉格反射)思路相近,但把光柵挪到了腔兩端的無(wú)源區(qū),中間留出完整的增益區(qū)。區(qū)別聽(tīng)著不大,效果卻有分工:DFB 的單模更穩(wěn),DBR 的調(diào)諧范圍更大。
打個(gè)比方:FP 像一間空屋子,什么音調(diào)都能引起共鳴;DFB 給屋子裝上了格柵,只留下一個(gè)音能站住。
代價(jià)當(dāng)然有。做光柵要用光柵刻蝕、二次外延這些額外工藝,一片 DFB 的價(jià)格通常是 FP 的幾倍。這筆錢(qián)花得值不值,取決于那段光纖有多長(zhǎng)。
三、換個(gè)方向出光:VCSEL
前面幾種都是邊發(fā)射:光從芯片的側(cè)面出來(lái)。因?yàn)槌龉饪谑且粭l窄縫,光斑是細(xì)長(zhǎng)的橢圓,想耦合進(jìn)圓形的纖芯,得先用透鏡整形。
VCSEL 換了個(gè)思路——讓光從芯片頂面垂直射出。腔不再是橫向的,而是上下兩片反射鏡夾著薄薄的有源區(qū)。
圖2:光從側(cè)面出,還是從頂面出
好處立刻顯現(xiàn):光斑是圓的,直接耦合,省掉整形;有源區(qū)極薄,閾值很低,毫安級(jí)就能起振;更重要的是,它能在晶圓上直接測(cè)試——不用切成一個(gè)個(gè)再挑,成本優(yōu)勢(shì)非常明顯。此外還容易做成二維陣列,用數(shù)量把功率堆上去。
短板是單管功率不大。常見(jiàn)的 850 納米、940 納米就在它的舒適區(qū)里,短距通信、傳感、消費(fèi)電子都是它的地盤(pán)。
所以 VCSEL 與邊發(fā)射不是替代關(guān)系,而是分工:要圓光斑、要陣列、要便宜,找 VCSEL;要大功率、要窄線寬、要長(zhǎng)距離,還得靠邊發(fā)射那幾位。
四、中紅外那一支:QCL 與 ICL
普通半導(dǎo)體激光器的波長(zhǎng)由材料的帶隙決定。想發(fā)中遠(yuǎn)紅外(3 到 12 微米),帶隙得小到幾乎沒(méi)有,常規(guī)材料體系做不到。
QCL(量子級(jí)聯(lián)激光器)繞開(kāi)了這個(gè)限制。它不靠帶隙,而是靠量子阱里的子帶間躍遷:電子從高能級(jí)落到低能級(jí),發(fā)一個(gè)光子,然后隧穿進(jìn)入下一個(gè)完-全相同的周期,再發(fā)一個(gè)。一個(gè)電子穿過(guò)幾十個(gè)周期,就能串出幾十個(gè)光子。
圖3:一個(gè)電子,一路發(fā)一串光子
關(guān)鍵在于,躍遷能量由量子阱的寬度決定,而寬度是可以設(shè)計(jì)的。想要什么波長(zhǎng),改阱寬就行,不必等材料。這就把中紅外這塊硬骨頭啃了下來(lái)。
3 到 12 微米這個(gè)區(qū)間,恰好是多數(shù)分子的指紋區(qū)——甲烷、二氧化碳、一氧化氮的吸收線都在這附近。所以氣體檢測(cè)的臺(tái)子,多半要配一支 QCL。
ICL(帶間級(jí)聯(lián)激光器)填補(bǔ)的是 QCL 與近紅外之間的空隙,工作方式介于傳統(tǒng)激光器與 QCL 之間,功耗比 QCL 低不少,適合對(duì)散熱和電池有要求的場(chǎng)合。
五、掐掉反饋:SLD 與 SOA
還有兩位比較特殊——它們的共同點(diǎn)是把反饋掐掉。
做法很直接:把端面斜切,或者鍍上增透膜,讓光走到頭就出去了,不反射回來(lái)。腔于是形同虛設(shè),只剩放大。
圖4:掐掉反饋,激光器就換了身份
只放大不振蕩的結(jié)果,就是 SLD(超輻射發(fā)光二極管):亮度接近激光,譜寬卻寬達(dá)幾十納米。
寬譜在很多場(chǎng)合是缺點(diǎn),但在光學(xué)相干層析這類地方,恰恰是要追求的目標(biāo)。道理來(lái)自相干長(zhǎng)度——L_c ≈ λ2 / Δλ,譜越寬,相干長(zhǎng)度越短,干涉信號(hào)只在極短的光程差附近出現(xiàn),縱向分辨反而越高。譜寬幾十納米,相干長(zhǎng)度就壓到幾十微米量級(jí),正好拿來(lái)做層析的「刻度」。
同一枚芯片,不做光源而去做放大器,就成了 SOA(半導(dǎo)體光放大器):不自己發(fā)光,專門(mén)放大別人過(guò)來(lái)的光,當(dāng)放大器、當(dāng)光開(kāi)關(guān)都合適。
六、要調(diào)得快:EML 與 ECL
把信號(hào)加載到光上,最省事的辦法是直接調(diào)激光器的電流。但電流一變,有源區(qū)的載流子濃度就變,折射率跟著變,波長(zhǎng)也跟著抖——這個(gè)現(xiàn)象叫啁啾。
速率低的時(shí)候還能湊合;到了 25 G、50 G 以上,啁啾遇上光纖色散,脈沖還沒(méi)跑遠(yuǎn)就散了架。
圖5:直接調(diào)制與外調(diào)制的差別
EML(電吸收調(diào)制激光器)的解法是分工:前面的 DFB 恒流工作、波長(zhǎng)穩(wěn)如磐石,后面接一段電吸收調(diào)制器,靠電壓改變吸收強(qiáng)弱來(lái)開(kāi)關(guān)光。調(diào)制只改變光的「有無(wú)」,不碰光源本身,啁啾因此小得多。它就是 DFB 加 EAM 長(zhǎng)在同一塊芯片上,用集成度換性能。
代價(jià)是多了驅(qū)動(dòng)電壓和溫度控制,電路比直接調(diào)制復(fù)雜一截。
另一條路是 ECL(外腔激光器):干脆把鏡子放到芯片外面。腔一長(zhǎng),可振蕩的模式就密集,選模之后線寬能窄到千赫茲量級(jí);再轉(zhuǎn)動(dòng)外腔里的光柵,還能連續(xù)調(diào)波長(zhǎng)。相干通信、高分辨光譜,用的都是它。
七、選型時(shí)究竟看什么
把上面這些串起來(lái)會(huì)發(fā)現(xiàn),那些縮寫(xiě)并不是隨意堆砌的,而是各自對(duì)應(yīng)一組指標(biāo)。
圖6:一張表看懂各自的地盤(pán)
真到選型的時(shí)候,問(wèn)的無(wú)非是這么幾個(gè)問(wèn)題:
波長(zhǎng)多少——先定材料體系,這一條往往就把范圍砍掉大半;
要單模還是無(wú)所謂——涉及傳輸距離與色散,決定 FP 還是 DFB;
功率多大——單管夠不夠,要不要上陣列;
要不要調(diào)制、多快——低速率直接調(diào),高速率上 EML;
譜寬是越窄越好,還是故意要寬——通信求窄,層析求寬,目標(biāo)正好相反。
剩下的問(wèn)題——封裝形式、尾纖類型、溫控要不要、驅(qū)動(dòng)怎么配——多半是這五條的延伸。
八、總結(jié)
半導(dǎo)體激光器分出這么多型號(hào),不是廠商愛(ài)起名字,是因?yàn)?/span>沒(méi)有一個(gè)結(jié)構(gòu)能同時(shí)在所有指標(biāo)上都拿滿分。
差別出在兩處——腔怎么搭(FP 裸腔多模、DFB/DBR 刻光柵選單模、ECL 把鏡子挪到片外求窄線寬)與光從哪出(邊發(fā)射功率大、VCSEL 圓光斑好耦合);
中紅外帶隙做不了,于是有了靠阱寬設(shè)計(jì)的 QCL;
而 SLD 與 SOA 則是把反饋掐掉后的另一種用法。
要單色性就得做光柵、得多花錢(qián);要圓光斑就接受功率有限;要中紅外就得忍受量子級(jí)聯(lián)那套復(fù)雜的外延。所謂選型,說(shuō)到底就是先想清楚哪一條最不能讓步,然后接受其他方面的妥協(xié)。
下次再看到那串字母,不妨先問(wèn)一句:它到底是為了解決哪一個(gè)麻煩才被發(fā)明出來(lái)的。想通了這一層,目錄就沒(méi)那么難讀了。
翻開(kāi)光器件的產(chǎn)品目錄,光是「激光二極管」這一欄就能排出十幾種:FP、DFB、VCSEL、DBR、ECL、EML、QCL、ICL、SLD、SOA……一串字母組合,看著像密碼。
它們本質(zhì)上都是同一類東西:一塊半導(dǎo)體芯片,通電就出激光。既然原理相同,何必分這么細(xì)?
答案藏在一個(gè)很實(shí)在的地方——半導(dǎo)體激光器只做三件事:產(chǎn)生增益(PN 結(jié)注入,電子與空穴復(fù)合發(fā)光)、提供反饋(諧振腔讓光來(lái)回跑)、把光放出來(lái)。第一件各家都一樣,分家就分在后兩件上:腔怎么搭,光從哪出。每解決一個(gè)具體的工程麻煩,就多出一個(gè)縮寫(xiě)。
FP 是法布里-珀羅的縮寫(xiě),顧名思義,腔就是兩面平行的鏡子。在半導(dǎo)體里,這兩面鏡子甚至不用額外做——晶體沿特定方向解理,斷面天然平整如鏡,直接拿來(lái)當(dāng)反射面就行。工藝簡(jiǎn)單,成本低。
代價(jià)是它多縱模。凡是滿足駐波條件的波長(zhǎng)都能在腔里振蕩,于是輸出光譜是一排梳齒,整體寬度常常有幾個(gè)納米。
圖1:有沒(méi)有光柵,決定輸出是幾個(gè)模式
幾個(gè)納米聽(tīng)起來(lái)不多,可一旦進(jìn)了光纖就麻煩了。光纖有色散,不同波長(zhǎng)跑得不一樣快,模式越多、譜越寬,脈沖被拉得越糊——幾十公里之后,信號(hào)就分不清彼此了。
所以 FP 的用場(chǎng)很清楚:距離短、速率不高、對(duì)譜寬不敏感的場(chǎng)合。指示、泵浦、短距傳輸,它都勝任,而且便宜。
二、要單模:把光柵做進(jìn)芯片里
通信要的是單縱模,于是有了 DFB 與 DBR。
DFB(分布式反饋)的做法是:在有源區(qū)里刻上周期性的光柵。只有滿足布拉格條件的那個(gè)波長(zhǎng)能被反復(fù)加強(qiáng),其余的都被抑制掉。輸出就成了干凈的一根譜線,寬度常常能壓到幾兆赫茲以下。
DBR(分布式布拉格反射)思路相近,但把光柵挪到了腔兩端的無(wú)源區(qū),中間留出完整的增益區(qū)。區(qū)別聽(tīng)著不大,效果卻有分工:DFB 的單模更穩(wěn),DBR 的調(diào)諧范圍更大。
打個(gè)比方:FP 像一間空屋子,什么音調(diào)都能引起共鳴;DFB 給屋子裝上了格柵,只留下一個(gè)音能站住。
代價(jià)當(dāng)然有。做光柵要用光柵刻蝕、二次外延這些額外工藝,一片 DFB 的價(jià)格通常是 FP 的幾倍。這筆錢(qián)花得值不值,取決于那段光纖有多長(zhǎng)。
三、換個(gè)方向出光:VCSEL
前面幾種都是邊發(fā)射:光從芯片的側(cè)面出來(lái)。因?yàn)槌龉饪谑且粭l窄縫,光斑是細(xì)長(zhǎng)的橢圓,想耦合進(jìn)圓形的纖芯,得先用透鏡整形。
VCSEL 換了個(gè)思路——讓光從芯片頂面垂直射出。腔不再是橫向的,而是上下兩片反射鏡夾著薄薄的有源區(qū)。
圖2:光從側(cè)面出,還是從頂面出
好處立刻顯現(xiàn):光斑是圓的,直接耦合,省掉整形;有源區(qū)極薄,閾值很低,毫安級(jí)就能起振;更重要的是,它能在晶圓上直接測(cè)試——不用切成一個(gè)個(gè)再挑,成本優(yōu)勢(shì)非常明顯。此外還容易做成二維陣列,用數(shù)量把功率堆上去。
短板是單管功率不大。常見(jiàn)的 850 納米、940 納米就在它的舒適區(qū)里,短距通信、傳感、消費(fèi)電子都是它的地盤(pán)。
所以 VCSEL 與邊發(fā)射不是替代關(guān)系,而是分工:要圓光斑、要陣列、要便宜,找 VCSEL;要大功率、要窄線寬、要長(zhǎng)距離,還得靠邊發(fā)射那幾位。
四、中紅外那一支:QCL 與 ICL
普通半導(dǎo)體激光器的波長(zhǎng)由材料的帶隙決定。想發(fā)中遠(yuǎn)紅外(3 到 12 微米),帶隙得小到幾乎沒(méi)有,常規(guī)材料體系做不到。
QCL(量子級(jí)聯(lián)激光器)繞開(kāi)了這個(gè)限制。它不靠帶隙,而是靠量子阱里的子帶間躍遷:電子從高能級(jí)落到低能級(jí),發(fā)一個(gè)光子,然后隧穿進(jìn)入下一個(gè)完-全相同的周期,再發(fā)一個(gè)。一個(gè)電子穿過(guò)幾十個(gè)周期,就能串出幾十個(gè)光子。
圖3:一個(gè)電子,一路發(fā)一串光子
關(guān)鍵在于,躍遷能量由量子阱的寬度決定,而寬度是可以設(shè)計(jì)的。想要什么波長(zhǎng),改阱寬就行,不必等材料。這就把中紅外這塊硬骨頭啃了下來(lái)。
3 到 12 微米這個(gè)區(qū)間,恰好是多數(shù)分子的指紋區(qū)——甲烷、二氧化碳、一氧化氮的吸收線都在這附近。所以氣體檢測(cè)的臺(tái)子,多半要配一支 QCL。
ICL(帶間級(jí)聯(lián)激光器)填補(bǔ)的是 QCL 與近紅外之間的空隙,工作方式介于傳統(tǒng)激光器與 QCL 之間,功耗比 QCL 低不少,適合對(duì)散熱和電池有要求的場(chǎng)合。
五、掐掉反饋:SLD 與 SOA
還有兩位比較特殊——它們的共同點(diǎn)是把反饋掐掉。
做法很直接:把端面斜切,或者鍍上增透膜,讓光走到頭就出去了,不反射回來(lái)。腔于是形同虛設(shè),只剩放大。
圖4:掐掉反饋,激光器就換了身份
只放大不振蕩的結(jié)果,就是 SLD(超輻射發(fā)光二極管):亮度接近激光,譜寬卻寬達(dá)幾十納米。
寬譜在很多場(chǎng)合是缺點(diǎn),但在光學(xué)相干層析這類地方,恰恰是要追求的目標(biāo)。道理來(lái)自相干長(zhǎng)度——L_c ≈ λ2 / Δλ,譜越寬,相干長(zhǎng)度越短,干涉信號(hào)只在極短的光程差附近出現(xiàn),縱向分辨反而越高。譜寬幾十納米,相干長(zhǎng)度就壓到幾十微米量級(jí),正好拿來(lái)做層析的「刻度」。
同一枚芯片,不做光源而去做放大器,就成了 SOA(半導(dǎo)體光放大器):不自己發(fā)光,專門(mén)放大別人過(guò)來(lái)的光,當(dāng)放大器、當(dāng)光開(kāi)關(guān)都合適。
六、要調(diào)得快:EML 與 ECL
把信號(hào)加載到光上,最省事的辦法是直接調(diào)激光器的電流。但電流一變,有源區(qū)的載流子濃度就變,折射率跟著變,波長(zhǎng)也跟著抖——這個(gè)現(xiàn)象叫啁啾。
速率低的時(shí)候還能湊合;到了 25 G、50 G 以上,啁啾遇上光纖色散,脈沖還沒(méi)跑遠(yuǎn)就散了架。
圖5:直接調(diào)制與外調(diào)制的差別
EML(電吸收調(diào)制激光器)的解法是分工:前面的 DFB 恒流工作、波長(zhǎng)穩(wěn)如磐石,后面接一段電吸收調(diào)制器,靠電壓改變吸收強(qiáng)弱來(lái)開(kāi)關(guān)光。調(diào)制只改變光的「有無(wú)」,不碰光源本身,啁啾因此小得多。它就是 DFB 加 EAM 長(zhǎng)在同一塊芯片上,用集成度換性能。
代價(jià)是多了驅(qū)動(dòng)電壓和溫度控制,電路比直接調(diào)制復(fù)雜一截。
另一條路是 ECL(外腔激光器):干脆把鏡子放到芯片外面。腔一長(zhǎng),可振蕩的模式就密集,選模之后線寬能窄到千赫茲量級(jí);再轉(zhuǎn)動(dòng)外腔里的光柵,還能連續(xù)調(diào)波長(zhǎng)。相干通信、高分辨光譜,用的都是它。
七、選型時(shí)究竟看什么
把上面這些串起來(lái)會(huì)發(fā)現(xiàn),那些縮寫(xiě)并不是隨意堆砌的,而是各自對(duì)應(yīng)一組指標(biāo)。
圖6:一張表看懂各自的地盤(pán)
真到選型的時(shí)候,問(wèn)的無(wú)非是這么幾個(gè)問(wèn)題:
波長(zhǎng)多少——先定材料體系,這一條往往就把范圍砍掉大半;
要單模還是無(wú)所謂——涉及傳輸距離與色散,決定 FP 還是 DFB;
功率多大——單管夠不夠,要不要上陣列;
要不要調(diào)制、多快——低速率直接調(diào),高速率上 EML;
譜寬是越窄越好,還是故意要寬——通信求窄,層析求寬,目標(biāo)正好相反。
剩下的問(wèn)題——封裝形式、尾纖類型、溫控要不要、驅(qū)動(dòng)怎么配——多半是這五條的延伸。
八、總結(jié)
半導(dǎo)體激光器分出這么多型號(hào),不是廠商愛(ài)起名字,是因?yàn)?/span>沒(méi)有一個(gè)結(jié)構(gòu)能同時(shí)在所有指標(biāo)上都拿滿分。
差別出在兩處——腔怎么搭(FP 裸腔多模、DFB/DBR 刻光柵選單模、ECL 把鏡子挪到片外求窄線寬)與光從哪出(邊發(fā)射功率大、VCSEL 圓光斑好耦合);
中紅外帶隙做不了,于是有了靠阱寬設(shè)計(jì)的 QCL;
而 SLD 與 SOA 則是把反饋掐掉后的另一種用法。
要單色性就得做光柵、得多花錢(qián);要圓光斑就接受功率有限;要中紅外就得忍受量子級(jí)聯(lián)那套復(fù)雜的外延。所謂選型,說(shuō)到底就是先想清楚哪一條最不能讓步,然后接受其他方面的妥協(xié)。
下次再看到那串字母,不妨先問(wèn)一句:它到底是為了解決哪一個(gè)麻煩才被發(fā)明出來(lái)的。想通了這一層,目錄就沒(méi)那么難讀了。